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BC846AS-7

BC846AS-7 Diodes Zetex

ds30833.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details BC846AS-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC846AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 200 mW, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC846AS-7 BC846AS-7 Hersteller : Diodes Zetex ds30833.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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BC846AS-7 BC846AS-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds30833.pdf Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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BC846AS-7 BC846AS-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889BE31A2671213D1&compId=BC846AS.pdf?ci_sign=9bb3e7aa5951a8ad9cfc8e28993f5d4a96b0fda1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2416 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
250+0.29 EUR
410+0.17 EUR
599+0.12 EUR
1731+0.04 EUR
1832+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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BC846AS-7 BC846AS-7 Hersteller : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889BE31A2671213D1&compId=BC846AS.pdf?ci_sign=9bb3e7aa5951a8ad9cfc8e28993f5d4a96b0fda1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC846AS-7 BC846AS-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds30833.pdf Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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BC846AS-7 BC846AS-7 Hersteller : Diodes Incorporated ds30833.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 65V
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1000+0.16 EUR
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BC846AS-7 BC846AS-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003559368-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC846AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC846AS-7 BC846AS-7 Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0003559368-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC846AS-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 65 V, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2350 Stücke:
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