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Technische Details BC846B-13-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BC846B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC846, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC846B-13-F nach Preis ab 0.022 EUR bis 0.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BC846B-13-F | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC846B-13-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC846B-13-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC846B-13-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC846B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BC846B-13-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC846B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BC846B-13-F | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC846B-13-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 310mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BC846B-13-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 310mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SOT23 Pulsed collector current: 0.2A Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
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