BC846BLP4-7B Diodes Zetex
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Technische Details BC846BLP4-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 460mW, Verlustleistung: 460mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC846, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote BC846BLP4-7B nach Preis ab 0.051 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BC846BLP4-7B | Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
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BC846BLP4-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC846BLP4-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
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BC846BLP4-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC846BLP4-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC846BLP4-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC846BLP4-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC846BLP4-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 410 mW |
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BC846BLP4-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 460mW Verlustleistung: 460mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BC846BLP4-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 460mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC846BLP4-7B |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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| BC846BLP4-7B |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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| 10000+ | 0.051 EUR |
| BC846BLP4-7B |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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| 10000+ | 0.051 EUR |
| BC846BLP4-7B |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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| 10000+ | 0.074 EUR |
| BC846BLP4-7B |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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| BC846BLP4-7B |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
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| 10000+ | 0.075 EUR |
| BC846BLP4-7B |
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
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| 10000+ | 0.088 EUR |
| 20000+ | 0.077 EUR |
| BC846BLP4-7B |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 410 mW
Description: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 410 mW
auf Bestellung 9745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 0.44 EUR |
| 77+ | 0.27 EUR |
| 124+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| 2000+ | 0.098 EUR |
| 5000+ | 0.083 EUR |
| BC846BLP4-7B |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 460mW
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 460mW
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
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DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC846BLP4-7B |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 460mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)