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BC846BLT1G

BC846BLT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC846BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC846BLT1G BC846BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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7463+0.02 EUR
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BC846BLT1G BC846BLT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 903000 Stücke:
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3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
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15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
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150000+0.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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BC846BLT1G BC846BLT1G Hersteller : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
618+0.12 EUR
1021+0.07 EUR
1397+0.05 EUR
1629+0.04 EUR
3312+0.02 EUR
3497+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 618
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BC846BLT1G BC846BLT1G Hersteller : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC846BLT1G BC846BLT1G
Produktcode: 112578
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Hersteller : ON bc846blt1g.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
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BC846BLT1G BC846BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1583+0.09 EUR
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BC846BLT1G BC846BLT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
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BC846BLT1G BC846BLT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
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134+0.13 EUR
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500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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BC846BLT1G BC846BLT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 59850 Stücke:
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BC846BLT1G BC846BLT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 59850 Stücke:
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BC846BLT1G BC846BLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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BC846BLT1G BC846BLT1G Hersteller : ONSEMI bc846alt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC846BLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 65V 100mA 300mW 100MHz BC846BLT3G (10000pcs/T&R) BC846BLT1G ONSemiconductor TBC846b ONS
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BC846BLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 65V 100mA 300mW 100MHz BC846BLT3G (10000pcs/T&R) BC846BLT1G ONSemiconductor TBC846b ONS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Mindestbestellmenge: 3000
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BC846BLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 65V 100mA 300mW 100MHz BC846BLT3G (10000pcs/T&R) BC846BLT1G ONSemiconductor TBC846b ONS
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Mindestbestellmenge: 3000
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BC846BLT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846alt1-d.pdf NPN 65V 100mA 300mW 100MHz BC846BLT3G (10000pcs/T&R) BC846BLT1G ONSemiconductor TBC846b ONS
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 3000
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BC846BLT1G Hersteller : On Semiconductor bc846alt1-d.pdf NPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23
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BC846BLT1G Hersteller : Infineon Technologies bc846alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
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