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BC846BLT1G ON

Name: BC846BLT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 41712908-5
Price: 156.00 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 112578

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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
ZCODE: SMD

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BC846BLT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 276000 Stücke:

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BC846BLT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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4348+	0.033 EUR
6000+	0.028 EUR

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BC846BLT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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4348+	0.033 EUR
6000+	0.028 EUR

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BC846BLT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC846BLT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 23550 Stücke:

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14355+	0.038 EUR

Mindestbestellmenge: 14355

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BC846BLT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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BC846BLT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 12230 Stücke:

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BC846BLT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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BC846BLT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW

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3000+	0.036 EUR
6000+	0.032 EUR

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BC846BLT1G

Hersteller : ON-Semiconductor

NPN 65V 100mA 300mW 100MHz BC846BLT3G (10000pcs/T&R) BC846BLT1G ONSemiconductor TBC846b ONS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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Lieferzeit 7-14 Tag (e)

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3000+	0.038 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BC846BLT1G

Hersteller : ON-Semiconductor

NPN 65V 100mA 300mW 100MHz BC846BLT3G (10000pcs/T&R) BC846BLT1G ONSemiconductor TBC846b ONS
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
3000+	0.038 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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BC846BLT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW

auf Bestellung 33559 Stücke:

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91+	0.19 EUR
148+	0.12 EUR
241+	0.073 EUR
500+	0.053 EUR
1000+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 91

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BC846BLT1G

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN

auf Bestellung 1461951 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
8+	0.39 EUR
18+	0.16 EUR
100+	0.088 EUR
500+	0.06 EUR
1000+	0.051 EUR
3000+	0.044 EUR

Mindestbestellmenge: 8

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BC846BLT1G

Hersteller : On Semiconductor

NPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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BC846BLT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Транзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke

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BC846BLT1G

Hersteller : ONSEMI

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

PDTC123JT (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k
Produktcode: 134236

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PDTC123JT (NXP, SOT23) 50V 100mA 250mW +рез. 2k2+47k

Hersteller: Nexperia
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 230 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 100
ZCODE: SMD

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erwartet: 2000 St.

2000 St. - erwartet

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BAV23
Produktcode: 105492

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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOT143B
Vrr, V: 200
Iav, A: 0.225
Trr, ns: zwei Dioden
Bemerkung: два діоди
Austauschbar:: SMD

auf Bestellung 4 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

erwartet 3522 St.:

3522 St. - erwartet

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VS-10MQ100NTRPBF
Produktcode: 59111

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Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 100
If(A): 1
VF@IF: 0.78
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A

verfügbar: 6283 St.

15 St. - stock Köln
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100+	0.088 EUR

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