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BC846BM3T5G

BC846BM3T5G ON Semiconductor

bc846bm3-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 32000 Stücke:
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Technische Details BC846BM3T5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote BC846BM3T5G nach Preis ab 0.033 EUR bis 0.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G onsemi BC846BM3-D.PDF Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.044 EUR
16000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G ON Semiconductor bc846bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 5619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1924+0.14 EUR
2000+0.087 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 1924 Stücke
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G ONSEMI BC846BM3-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265/0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265/0.64W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.17 EUR
575+0.12 EUR
812+0.088 EUR
947+0.076 EUR
1158+0.062 EUR
1345+0.053 EUR
1558+0.046 EUR
4000+0.035 EUR
5000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G onsemi BC846BM3-D.PDF Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 19955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.26 EUR
105+0.17 EUR
170+0.1 EUR
500+0.075 EUR
1000+0.066 EUR
2000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G onsemi BC846BM3-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
auf Bestellung 7107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.27 EUR
17+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.076 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G ONSEMI 2160765.pdf Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G ONSEMI 2160765.pdf Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 16000 Stücke:
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BC846BM3T5G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8000+0.044 EUR
16000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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BC846BM3T5G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1924+0.14 EUR
2000+0.087 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 1924 Stücke
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BC846BM3T5G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265/0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265/0.64W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
575+0.12 EUR
812+0.088 EUR
947+0.076 EUR
1158+0.062 EUR
1345+0.053 EUR
1558+0.046 EUR
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BC846BM3T5G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 19955 Stücke:
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Anzahl Preis
67+0.26 EUR
105+0.17 EUR
170+0.1 EUR
500+0.075 EUR
1000+0.066 EUR
2000+0.058 EUR
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
auf Bestellung 7107 Stücke:
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Anzahl Preis
11+0.27 EUR
17+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.076 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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BC846BM3T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC846BM3T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BM3T5G BC846BM3-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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