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BC846BM3T5G

BC846BM3T5G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Technische Details BC846BM3T5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G ONSEMI BC846BM3-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265/0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265/0.64W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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1345+0.063 EUR
1558+0.055 EUR
4000+0.042 EUR
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G onsemi BC846BM3-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G onsemi BC846BM3-D.PDF Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
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103+0.2 EUR
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500+0.092 EUR
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G ON Semiconductor bc846bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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1695+0.1 EUR
2263+0.076 EUR
2786+0.061 EUR
3135+0.052 EUR
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2263+0.075 EUR
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BC846BM3T5G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 5619 Stücke:
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Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265/0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265/0.64W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
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Frequency: 100MHz
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Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
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