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BC846BM3T5G

BC846BM3T5G ON Semiconductor

bc846bm3-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Technische Details BC846BM3T5G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : onsemi bc846bm3-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
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16000+0.04 EUR
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc846bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : onsemi BC846BM3-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : onsemi bc846bm3-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : ONSEMI 2160765.pdf Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 28505 Stücke:
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : ONSEMI 2160765.pdf Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc846bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc846bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : ONSEMI 2160765.pdf Description: ONSEMI - BC846BM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC846BM3T5G Hersteller : ON bc846bm3-d.pdf SOT723
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BC846BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc846bm3-d.pdf
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc846bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc846bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc846bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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BC846BM3T5G BC846BM3T5G Hersteller : ON Semiconductor bc846bm3-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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BC846BM3T5G Hersteller : ONSEMI bc846bm3-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.265/0.64W; SOT723
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.265/0.64W
Case: SOT723
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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