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BC846BPDW1T1G

BC846BPDW1T1G ON Semiconductor

bc846bpdw1t1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details BC846BPDW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 380mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G onsemi BC846BPDW1T1-D.PDF Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G ON-Semiconductor TBC846bpdw1t1g_0001.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW BC846BPDW1T1G TBC846bpdw1t1g
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1359+0.13 EUR
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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1516+0.11 EUR
2093+0.074 EUR
2404+0.062 EUR
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1350+0.12 EUR
1363+0.11 EUR
1863+0.076 EUR
2133+0.064 EUR
3000+0.054 EUR
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G onsemi BC846BPDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual Complementary
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G onsemi BC846BPDW1T1-D.PDF Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G ONSEMI BC846BPDW1.PDF Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Current gain: 200...475
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.38W
Kind of transistor: complementary pair
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: ON Semiconductor
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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Hersteller: ON-Semiconductor
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Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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Mindestbestellmenge: 1363 Stücke
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1359+0.13 EUR
1877+0.089 EUR
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Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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Hersteller: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Current gain: 200...475
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.38W
Kind of transistor: complementary pair
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