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BC846BPDW1T1G

BC846BPDW1T1G ON Semiconductor

bc846bpdw1t1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details BC846BPDW1T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 380mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: BCxxx Series, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : onsemi bc846bpdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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6000+0.053 EUR
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21000+0.044 EUR
30000+0.042 EUR
75000+0.037 EUR
150000+0.034 EUR
300000+0.032 EUR
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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1619+0.089 EUR
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78687EF0A12A8C745&compId=BC846BPDW1.PDF?ci_sign=5f728f1077a5286806fff421861d1d4229d18ac7 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
334+0.21 EUR
486+0.15 EUR
713+0.1 EUR
838+0.085 EUR
1200+0.06 EUR
2273+0.031 EUR
2404+0.03 EUR
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78687EF0A12A8C745&compId=BC846BPDW1.PDF?ci_sign=5f728f1077a5286806fff421861d1d4229d18ac7 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 65V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.38W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 200...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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2233+0.053 EUR
2565+0.044 EUR
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : ON Semiconductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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499+0.29 EUR
847+0.16 EUR
1374+0.098 EUR
1898+0.068 EUR
2174+0.057 EUR
3345+0.035 EUR
6000+0.034 EUR
9000+0.025 EUR
15000+0.022 EUR
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : onsemi BC846BPDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V Dual Complementary
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16+0.18 EUR
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : onsemi bc846bpdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 338521 Stücke:
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98+0.18 EUR
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500+0.082 EUR
1000+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : ONSEMI 2140520.pdf Description: ONSEMI - BC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G Hersteller : ONSEMI 2140520.pdf Description: ONSEMI - BC846BPDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 380mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 65V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BCxxx Series
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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auf Bestellung 438000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC846BPDW1T1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846bpdw1t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 65V 0.1A 380mW BC846BPDW1T1G TBC846bpdw1t1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
300+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 300
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