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Technische Details BC846BQCZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 450mW, Verlustleistung: 450mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1412D, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC846xQC Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BC846BQCZ | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R |
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BC846BQCZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R |
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BC846BQCZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R |
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BC846BQCZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R |
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BC846BQCZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R |
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BC846BQCZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC846BQC/SOT8009/DFN1412D-3 |
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BC846BQCZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846xQC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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BC846BQCZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 450mW Verlustleistung: 450mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846xQC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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| BC846BQCZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R
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| BC846BQCZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R
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| BC846BQCZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R
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| BC846BQCZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R
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| BC846BQCZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R
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| BC846BQCZ |
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC846BQC/SOT8009/DFN1412D-3
Bipolar Transistors - BJT BC846BQC/SOT8009/DFN1412D-3
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| BC846BQCZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
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Produktpalette: BC846xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 491+ | 0.51 EUR |
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| 1283+ | 0.17 EUR |
| 1356+ | 0.15 EUR |
| BC846BQCZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846xQC Series
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Wandlerpolarität: NPN
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC846BQCZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450mW
Verlustleistung: 450mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN1412D
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Produktpalette: BC846xQC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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auf Bestellung 3828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 500+ | 0.51 EUR |
| 807+ | 0.29 EUR |
| 1283+ | 0.17 EUR |
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