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BC846BT116

BC846BT116 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
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Technische Details BC846BT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 120mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC846BT116 BC846BT116 Rohm Semiconductor bc846bt116-e.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
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BC846BT116 BC846BT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BC846B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 65V 0.12A SST3
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BC846BT116 BC846BT116 ROHM Semiconductor datasheet?p=BC846B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT23 65V
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BC846BT116 BC846BT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BC846B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 65V 0.12A SST3
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BC846BT116 BC846BT116 ROHM bc846bt116-e.pdf Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC846BT116 BC846BT116 Rohm Semiconductor bc846bt116-e.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 65V 0.12A SST3
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Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN SOT23 65V
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Description: TRANS NPN 65V 0.12A SST3
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
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usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC846BT116
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - BC846BT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC846BT116
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R
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