BC846BWH RFG Taiwan Semiconductor


bc846bwhseries_a2504.pdf
Hersteller: Taiwan Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC846BWH RFG Taiwan Semiconductor

Description: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC846BWH RFG BC846BWH RFG Taiwan Semiconductor bc846bwhseries_a2504.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101
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BC846BWH RFG BC846BWH RFG Taiwan Semiconductor pdf.php?pn=BC846BWH Bipolar Transistors - BJT 100mA, 80V NPN transistor
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BC846BWH RFG BC846BWH RFG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=BC846BWH Description: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
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Frequency - Transition: 100MHz
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Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
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