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BC846CLT1G

BC846CLT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC846CLT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V, Power - Max: 225 mW.

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BC846CLT1G BC846CLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC846CLT1G BC846CLT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
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3000+0.04 EUR
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BC846CLT1G BC846CLT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 3345
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BC846CLT1G BC846CLT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF969ADE4FC0CE&compId=BC846ALT1G.PDF?ci_sign=17a225e30779fe945b7cb9d0f0054338a73015b1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
455+0.16 EUR
848+0.08 EUR
1429+0.05 EUR
1793+0.04 EUR
2223+0.03 EUR
2775+0.03 EUR
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BC846CLT1G BC846CLT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91BF969ADE4FC0CE&compId=BC846ALT1G.PDF?ci_sign=17a225e30779fe945b7cb9d0f0054338a73015b1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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Mindestbestellmenge: 455
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BC846CLT1G BC846CLT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 9268 Stücke:
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500+0.06 EUR
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BC846CLT1G BC846CLT1G Hersteller : onsemi BC846ALT1_D-1387679.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 65V
auf Bestellung 553 Stücke:
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21+0.14 EUR
100+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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auf Bestellung 9000 Stücke:
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