BC847AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC847AE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 200 mW.
Weitere Produktangebote BC847AE6327HTSA1 nach Preis ab 0.042 EUR bis 0.073 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BC847AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC847AE6327HTSA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC847AE6327HTSA1 - BC847 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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BC847AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC847AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW |
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BC847AE6327HTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR |
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