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BC847AMB,315

BC847AMB,315 Nexperia USA Inc.

BC847XMB_SER.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details BC847AMB,315 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BC847AMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-883B, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BC847AMB,315 BC847AMB,315 Nexperia BC847XMB_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC847AMB/SOT883B/XQFN3
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BC847AMB,315 BC847AMB,315 NEXPERIA NEXP-S-A0006011421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC847AMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-883B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BC847AMB,315 BC847AMB,315 NEXPERIA NEXP-S-A0006011421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC847AMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883B, Oberflächenmontage
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Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC847AMB,315
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC847AMB/SOT883B/XQFN3
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BC847AMB,315
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847AMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883B, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-883B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
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BC847AMB,315
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847AMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-883B
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
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