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BC847AQC-QZ

BC847AQC-QZ Nexperia

BC847XQC-Q_SER.pdf
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .1A NPN GP TRANS
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Technische Details BC847AQC-QZ Nexperia

Description: NEXPERIA - BC847AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 450mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN1412D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847xQC-Q, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC847AQC-QZ BC847AQC-QZ NEXPERIA BC847XQC-Q_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC847AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQC-Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC847AQC-QZ BC847AQC-QZ NEXPERIA BC847XQC-Q_SER.pdf Description: NEXPERIA - BC847AQC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 450 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage
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