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BC847AT-7-F

BC847AT-7-F Diodes Zetex

ds30274.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
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Technische Details BC847AT-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC847AT-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC847AT-7-F BC847AT-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30274.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
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BC847AT-7-F BC847AT-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30274.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
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BC847AT-7-F BC847AT-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30274.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
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6000+0.05 EUR
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15000+0.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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BC847AT-7-F BC847AT-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30274.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 150mW; SOT523
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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417+0.17 EUR
715+0.10 EUR
1051+0.07 EUR
1266+0.06 EUR
2858+0.03 EUR
3031+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 417
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BC847AT-7-F BC847AT-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30274.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 150mW; SOT523
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
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BC847AT-7-F BC847AT-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30274-3214545.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
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21+0.14 EUR
100+0.07 EUR
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9000+0.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 12
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BC847AT-7-F BC847AT-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30274.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
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BC847AT-7-F BC847AT-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30274.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
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BC847AT-7-F BC847AT-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847AT-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
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auf Bestellung 350 Stücke:
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BC847AT-7-F BC847AT-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0002833140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847AT-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2953 Stücke:
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