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BC847B-13-F

BC847B-13-F Diodes Zetex

bc846a-bc848c.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC847B-13-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC847B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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BC847B-13-F BC847B-13-F Hersteller : Diodes Incorporated ds11108.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 2070000 Stücke:
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20000+0.04 EUR
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BC847B-13-F BC847B-13-F Hersteller : Diodes Incorporated ds11108.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 450 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
auf Bestellung 2078515 Stücke:
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175+0.10 EUR
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BC847B-13-F BC847B-13-F Hersteller : Diodes Incorporated DIODS20710_1-2542019.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Small SIG 50V 45V VCEO 6.0V VEBO
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BC847B-13-F BC847B-13-F Hersteller : DIODES INC. DIODS20710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BC847B-13-F BC847B-13-F Hersteller : DIODES INC. DIODS20710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847B-13-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
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Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
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BC847B-13-F BC847B-13-F Hersteller : Diodes Inc 2ds11108.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC847B-13-F Hersteller : DIODES INCORPORATED ds11108.pdf BC847B-13-F NPN SMD transistors
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BC847B-13-F BC847B-13-F Hersteller : Diodes Zetex bc846a-bc848c.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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