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BC847B-7-F

BC847B-7-F Diodes Zetex

bc846a-bc848c.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC847B-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC847B-7-F BC847B-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds11108.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
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BC847B-7-F BC847B-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED bc846_7_8.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3580 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
417+0.17 EUR
658+0.11 EUR
985+0.07 EUR
1185+0.06 EUR
1819+0.04 EUR
3580+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 417
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847B-7-F BC847B-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED bc846_7_8.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 350mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
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BC847B-7-F BC847B-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds11108.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 916929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.21 EUR
134+0.13 EUR
218+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 84
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847B-7-F BC847B-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIODS20710_1-2542019.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
auf Bestellung 19188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+0.29 EUR
19+0.15 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
45000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BC847B-7-F BC847B-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS20710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847B-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BC847B-7-F BC847B-7-F Hersteller : Diodes Inc 2ds11108.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC847B-7-F BC847B-7-F Hersteller : Diodes Zetex 2ds11108.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
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