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BC847BDW1T3G

BC847BDW1T3G ON Semiconductor

bc846bdw1t1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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Technische Details BC847BDW1T3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 380mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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909+0.19 EUR
1480+0.11 EUR
2009+0.079 EUR
2558+0.06 EUR
2605+0.056 EUR
5000+0.044 EUR
10000+0.035 EUR
20000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 555 Stücke
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G onsemi BC846BDW1T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
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10+0.35 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.074 EUR
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G onsemi BC846BDW1T1-D.PDF Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 2438 Stücke:
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614+0.4 EUR
1325+0.18 EUR
1716+0.12 EUR
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G ONSEMI 2118315.pdf Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 2438 Stücke:
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G ON Semiconductor bc846bdw1t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G ON Semiconductor bc846bdw1t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
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20000+0.033 EUR
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16305+0.04 EUR
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16305+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 16305 Stücke
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555+0.32 EUR
909+0.19 EUR
1480+0.11 EUR
2009+0.079 EUR
2558+0.06 EUR
2605+0.056 EUR
5000+0.044 EUR
10000+0.035 EUR
20000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 555 Stücke
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Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
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Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SC88/SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 380mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
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BC847BDW1T3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 2438 Stücke:
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BC847BDW1T3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847BDW1T3G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 380 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 380mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 2438 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
614+0.4 EUR
1325+0.18 EUR
1716+0.12 EUR
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 358 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
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