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BC847BE6327HTSA1

BC847BE6327HTSA1 Infineon Technologies

848seriesbc849seriesbc850seriesdsv0101endatasheetv0101en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC847BE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BC847BE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 848seriesbc849seriesbc850seriesdsv0101endatasheetv0101en.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
459+0.16 EUR
601+0.12 EUR
998+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
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BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_Infineon_BC847SERIES_BC848SERIES_BC849SER-3362545.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 45 V 100 mA
auf Bestellung 13988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.33 EUR
100+0.24 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS12081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC847BE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50927 Stücke:
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BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS12081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BC847BE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50927 Stücke:
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BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bc846series_bc847series_bc848series_bc849series_bc850series1.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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BC847BE6327HTSA1 BC847BE6327HTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
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