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BC847BFA-7B

BC847BFA-7B Diodes Zetex

1025843081816637bc847bfa.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R
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Technische Details BC847BFA-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC847BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 435mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 170MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC847BFA-7B BC847BFA-7B Hersteller : Diodes Incorporated BC847BFA.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0806-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
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BC847BFA-7B BC847BFA-7B Hersteller : Diodes Incorporated BC847BFA.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0806-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
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BC847BFA-7B BC847BFA-7B Hersteller : Diodes Incorporated BC847BFA.pdf Bipolar Transistors - BJT 45V NPN SM Trans 435mW 100mA
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BC847BFA-7B BC847BFA-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0000449558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 170MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 6525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC847BFA-7B BC847BFA-7B Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0000449558-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847BFA-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 435 mW, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 435mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 170MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC847BFA-7B BC847BFA-7B Hersteller : Diodes Inc 1025843081816637bc847bfa.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R
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