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BC847BFZ-7B

BC847BFZ-7B Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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Technische Details BC847BFZ-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 925mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: X2-DFN0606, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC847BFZ-7B BC847BFZ-7B Diodes Zetex 34125883592215160bc847bfz.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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BC847BFZ-7B BC847BFZ-7B Diodes Incorporated BC847BFZ.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV
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BC847BFZ-7B BC847BFZ-7B DIODES INC. DIOD-S-A0000449559-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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285+0.81 EUR
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BC847BFZ-7B BC847BFZ-7B DIODES INC. DIOD-S-A0000449559-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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auf Bestellung 60000 Stücke:
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BC847BFZ-7B
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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BC847BFZ-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV
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5000+0.35 EUR
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BC847BFZ-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC847BFZ-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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285+0.81 EUR
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