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BC847BFZ-7B

BC847BFZ-7B Diodes Zetex

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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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Technische Details BC847BFZ-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 925mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X2-DFN0606, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 180MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC847BFZ-7B BC847BFZ-7B Diodes Zetex 34125883592215160bc847bfz.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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BC847BFZ-7B BC847BFZ-7B Diodes Incorporated BC847BFZ.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
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BC847BFZ-7B BC847BFZ-7B Diodes Incorporated BC847BFZ.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV
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3+1.3 EUR
10+0.71 EUR
100+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
5000+0.27 EUR
10000+0.25 EUR
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BC847BFZ-7B BC847BFZ-7B Diodes Incorporated BC847BFZ.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
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100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
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BC847BFZ-7B BC847BFZ-7B DIODES INC. DIOD-S-A0000449559-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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147+1.7 EUR
239+0.98 EUR
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BC847BFZ-7B BC847BFZ-7B DIODES INC. DIOD-S-A0000449559-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 925mW 3-Pin X2-DFN T/R
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BC847BFZ-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
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Bipolar Transistors - BJT NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV
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1000+0.32 EUR
5000+0.27 EUR
10000+0.25 EUR
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BC847BFZ-7B
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 45V 0.1A X2-DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 435 mW
auf Bestellung 61199 Stücke:
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100+0.52 EUR
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2000+0.32 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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BC847BFZ-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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371+0.58 EUR
500+0.44 EUR
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5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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BC847BFZ-7B
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847BFZ-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 925 mW, X2-DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 925mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN0606
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
147+1.7 EUR
239+0.98 EUR
371+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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