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BC847BHZGT116 Rohm Semiconductor


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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC847BHZGT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BC847BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC847BHZGT116 BC847BHZGT116 Rohm Semiconductor bc847bhzg-e.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
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BC847BHZGT116 BC847BHZGT116 ROHM Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 45V
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BC847BHZGT116 BC847BHZGT116 ROHM bc847bhzg-e.pdf Description: ROHM - BC847BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC847BHZGT116 BC847BHZGT116 Rohm Semiconductor bc847bhzg-e.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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BC847BHZGT116 BC847BHZGT116 Rohm Semiconductor bc847bhzg-e.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 45V
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Description: ROHM - BC847BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Description: ROHM - BC847BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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