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BC847BLP4-7B

BC847BLP4-7B Diodes Incorporated

BC847BLP4.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
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Technische Details BC847BLP4-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - BC847BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: X2-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BC847BLP4-7B BC847BLP4-7B DIODES INC. DIOD-S-A0013043600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC847BLP4-7B BC847BLP4-7B DIODES INC. DIOD-S-A0013043600-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 1 W, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
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BC847BLP4-7B
Hersteller: DIODES INC.
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BC847BLP4-7B
Hersteller: DIODES INC.
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