BC847BPDW1T3G ON Semiconductor
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Technische Details BC847BPDW1T3G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 380mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Weitere Produktangebote BC847BPDW1T3G nach Preis ab 0.028 EUR bis 0.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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BC847BPDW1T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
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BC847BPDW1T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
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BC847BPDW1T3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
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BC847BPDW1T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
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BC847BPDW1T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BC847BPDW1T3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
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BC847BPDW1T3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SC88 GP XSTR DUAL 45V |
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BC847BPDW1T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
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BC847BPDW1T3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R |
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