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BC847BPDXV6T1G

BC847BPDXV6T1G ON Semiconductor

bc847bpdxv6t1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Technische Details BC847BPDXV6T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 500mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Verlustleistung, NPN: 500mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

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BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T1G Hersteller : onsemi bc847bpdxv6t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor bc847bpdxv6t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor bc847bpdxv6t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Mindestbestellmenge: 377
BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T1G Hersteller : onsemi BC847BPDXV6T1_D-2310063.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual Complementary
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Mindestbestellmenge: 64
BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T1G Hersteller : onsemi bc847bpdxv6t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 357mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013184428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 500mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
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BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013184428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 500mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
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BC847BPDXV6T1G Hersteller : ON bc847bpdxv6t1-d.pdf 08+ QFP
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BC847BPDXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor bc847bpdxv6t1-d.pdf
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BC847BPDXV6T1G
Produktcode: 126352 		bc847bpdxv6t1-d.pdf IC > IC Transistoranordnungen
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BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor bc847bpdxv6t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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BC847BPDXV6T1G BC847BPDXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor bc847bpdxv6t1-d.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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BC847BPDXV6T1G Hersteller : ONSEMI bc847bpdxv6t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 150...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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BC847BPDXV6T1G Hersteller : ONSEMI bc847bpdxv6t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 150...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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