BC847BPDXV6T1G
Produktcode: 126352
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Weitere Produktangebote BC847BPDXV6T1G nach Preis ab 0.088 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 3840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual Complementary |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 500mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 23940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 500mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 23940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON |
08+ QFP |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 357mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.5W Case: SOT563 Current gain: 200...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |