BC847BPDXV6T1G
Produktcode: 126352
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IC > IC Transistoranordnungen
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Weitere Produktangebote BC847BPDXV6T1G nach Preis ab 0.089 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 216000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 216000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 240000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
auf Bestellung 3840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual Complementary |
auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 500mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
auf Bestellung 21520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BPDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 500 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 500mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
auf Bestellung 21520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC847BPDXV6T1G | Hersteller : ON |
08+ QFP |
auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |