| Anzahl | Privatkunde |
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| 5803+ | 0.11 EUR |
| 10000+ | 0.1 EUR |
| 100000+ | 0.082 EUR |
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Technische Details BC847BQCZ Nexperia
Description: TRANS 45V 0.1A DFN1412D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1412D-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 360 mW, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote BC847BQCZ nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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BC847BQCZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR DISCRETES |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847BQCZ |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR DISCRETES
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR DISCRETES
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.4 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |



