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BC847BS-13-F

BC847BS-13-F DIODES INCORPORATED


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Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
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Technische Details BC847BS-13-F DIODES INCORPORATED

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT363, Type of transistor: NPN x2, Polarisation: bipolar, Collector-emitter voltage: 45V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.2W, Case: SOT363, Current gain: 200...450, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Frequency: 100MHz, Quantity in set/package: 3000pcs..

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC847BS-13-F BC847BS-13-F Hersteller : Diodes Zetex 1569ds30222.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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BC847BS-13-F Hersteller : Diodes INC. BC847BS.pdf Подвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 45, Ic = 0,1 А, ft, МГц = 100, hFE = 200...450, Icutoff-max = 5 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,4 @ 100 мА, 5 мА, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт
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BC847BS-13-F Hersteller : Diodes Incorporated Bipolar Transistors - BJT
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