
BC847BTT1G ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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4425+ | 0.03 EUR |
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Technische Details BC847BTT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC847BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BC847BTT1G nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.23 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BC847BTT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 41481 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BTT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2/0.3W; SC75,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...450 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2/0.3W Polarisation: bipolar Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2914 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC847BTT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2/0.3W; SC75,SOT416 Mounting: SMD Case: SC75; SOT416 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...450 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2/0.3W Polarisation: bipolar Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 2914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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BC847BTT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 32808 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847BTT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 43043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847BTT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 27009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BTT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 27009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BC847BTT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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BC847BTT1G | Hersteller : Infineon Technologies |
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