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BC847BV,115

BC847BV,115 Nexperia

bc847bv.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details BC847BV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 250 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 250mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC847BV,115 BC847BV,115 Hersteller : NEXPERIA BC847BV.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 300mW; SOT666
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
132+0.54 EUR
217+0.33 EUR
317+0.23 EUR
374+0.19 EUR
705+0.10 EUR
736+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 132
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BC847BV,115 BC847BV,115 Hersteller : NEXPERIA BC847BV.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 300mW; SOT666
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC847BV,115 BC847BV,115 Hersteller : Nexperia BC847BV.pdf Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications BC847BV/SOT666/SOT6
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10+0.45 EUR
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1000+0.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
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BC847BV,115 BC847BV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC847BV.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 1884 Stücke:
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Anzahl Preis
24+0.74 EUR
40+0.45 EUR
100+0.28 EUR
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1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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BC847BV,115 BC847BV,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS18620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7435 Stücke:
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BC847BV,115 BC847BV,115 Hersteller : NEXPERIA PHGLS18620-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC847BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 250 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 250mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC847BV,115 BC847BV,115 Hersteller : NEXPERIA 1744977629997925bc847bv.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 28001 Stücke:
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BC847BV,115 BC847BV,115 Hersteller : Nexperia bc847bv.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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BC847BV,115 BC847BV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC847BV.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
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