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BC847BVN,115

BC847BVN,115 Nexperia

bc847bvn.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details BC847BVN,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BC847BVN,115 BC847BVN,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC847BVN.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA997F4898DCE20C7&compId=BC847BVN.pdf?ci_sign=49d7b9c5291d2e1f8e2155e9ae000b5d6f157f12 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
157+0.46 EUR
249+0.29 EUR
355+0.20 EUR
417+0.17 EUR
642+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA997F4898DCE20C7&compId=BC847BVN.pdf?ci_sign=49d7b9c5291d2e1f8e2155e9ae000b5d6f157f12 Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 3805 Stücke:
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Anzahl Preis
157+0.46 EUR
249+0.29 EUR
355+0.20 EUR
417+0.17 EUR
642+0.11 EUR
1000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 157
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC847BVN.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 24300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
26+0.69 EUR
42+0.42 EUR
100+0.27 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 26
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 Hersteller : Nexperia BC847BVN.pdf Bipolar Transistors - BJT 45 V, 100 mA NPN/PNP general purpose transistor
auf Bestellung 41183 Stücke:
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Anzahl Preis
5+0.70 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.20 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 Hersteller : NEXPERIA 3185892.pdf Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2915 Stücke:
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 Hersteller : NEXPERIA 3185892.pdf Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 Hersteller : NEXPERIA bc847bvn.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 41998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BC847BVN,115 Hersteller : NXP Semiconductors BC847BVN.pdf NPN, Uкэ=45V, Iк=0.1A, h21=200...400, 0.2Вт, 100МГц, SOT-666
auf Bestellung 4 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BVN,115 BC847BVN,115 Hersteller : Nexperia bc847bvn.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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