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BC847BVN,115

BC847BVN,115 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details BC847BVN,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 200mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC847BVN,115 BC847BVN,115 Nexperia bc847bvn.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 Nexperia bc847bvn.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 Nexperia bc847bvn.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 NEXPERIA BC847BVN.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
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193+0.44 EUR
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491+0.18 EUR
544+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 Nexperia bc847bvn.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R
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312+0.56 EUR
419+0.4 EUR
445+0.37 EUR
615+0.25 EUR
660+0.23 EUR
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 Nexperia BC847BVN.pdf Bipolar Transistors - BJT BC847BVN/SOT666/SOT6
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5+0.76 EUR
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2000+0.18 EUR
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 NEXPERIA 3185892.pdf Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 3546 Stücke:
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169+1.49 EUR
278+0.83 EUR
439+0.49 EUR
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Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 NEXPERIA 3185892.pdf Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
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169+1.49 EUR
278+0.83 EUR
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BC847BVN,115 BC847BVN,115 NXP BC847BVN.pdf NPN, Uкэ=45V, Iк=0.1A, h21=200...400, 0.2Вт, 100МГц, SOT-666 Транзистори
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Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Kind of transistor: complementary pair
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Bipolar Transistors - BJT BC847BVN/SOT666/SOT6
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1000+0.19 EUR
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4000+0.14 EUR
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BC847BVN,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 3546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.49 EUR
278+0.83 EUR
439+0.49 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC847BVN,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847BVN,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 3546 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
169+1.49 EUR
278+0.83 EUR
439+0.49 EUR
1000+0.32 EUR
2000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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BC847BVN,115
Hersteller: NXP
NPN, Uкэ=45V, Iк=0.1A, h21=200...400, 0.2Вт, 100МГц, SOT-666 Транзистори
auf Bestellung 4 Stücke:
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