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BC847BVN-7 Diodes Zetex


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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Technische Details BC847BVN-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 150mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BC847BVN-7 BC847BVN-7 Diodes Incorporated ds30627.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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BC847BVN-7 BC847BVN-7 Diodes Incorporated ds30627.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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BC847BVN-7 BC847BVN-7 DIODES INC. DIOD-S-A0012901306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
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162+1.55 EUR
264+0.88 EUR
412+0.52 EUR
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DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
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BC847BVN-7 ds30627.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 1794000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 1752000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BVN7 ds30627.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BVN-7 ds30627.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BVN-7 ds30627.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
9000+0.21 EUR
15000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BVN-7 ds30627.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 15008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BVN-7 ds30627.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR COMP.
auf Bestellung 1361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.46 EUR
10+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BVN-7 DIOD-S-A0012901306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
264+0.88 EUR
412+0.52 EUR
547+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847BVN-7 DIOD-S-A0012901306-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
162+1.55 EUR
264+0.88 EUR
412+0.52 EUR
547+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
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