BC847BVN-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.21 EUR |
| 6000+ | 0.19 EUR |
| 9000+ | 0.18 EUR |
| 15000+ | 0.17 EUR |
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Technische Details BC847BVN-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: 150mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 150mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.
Weitere Produktangebote BC847BVN-7 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BC847BVN-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
auf Bestellung 15008 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847BVN-7 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR COMP. |
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BC847BVN-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 150mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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BC847BVN-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 150mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC847BVN-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 15008 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 20+ | 0.92 EUR |
| 32+ | 0.56 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.24 EUR |
| BC847BVN-7 |
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR COMP.
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR COMP.
auf Bestellung 1361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.23 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.52 EUR |
| 500+ | 0.34 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.18 EUR |
| BC847BVN-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC847BVN-7 |
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
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isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
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Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
Description: DIODES INC. - BC847BVN-7 - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 290hFE
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 150mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 290hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
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Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 970 Stücke:
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