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BC847BWT1G

BC847BWT1G ON Semiconductor

bc846awt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details BC847BWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847BWT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC847BWT1G BC847BWT1G Hersteller : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
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3000+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
9000+0.033 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.029 EUR
30000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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BC847BWT1G BC847BWT1G Hersteller : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 5739 Stücke:
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1060+0.067 EUR
1250+0.057 EUR
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1725+0.041 EUR
1954+0.037 EUR
2348+0.03 EUR
2763+0.026 EUR
4274+0.017 EUR
4505+0.016 EUR
Mindestbestellmenge: 1060
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BC847BWT1G BC847BWT1G
Produktcode: 93935
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bc846awt1-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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1653+0.084 EUR
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5182+0.023 EUR
8548+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 1274
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BC847BWT1G BC847BWT1G Hersteller : onsemi BC846AWT1_D-1387647.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
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25+0.11 EUR
100+0.074 EUR
500+0.055 EUR
1000+0.048 EUR
3000+0.04 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 40194 Stücke:
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84+0.21 EUR
143+0.12 EUR
231+0.076 EUR
500+0.055 EUR
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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BC847BWT1G BC847BWT1G Hersteller : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Description: ONSEMI - BC847BWT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 11939 Stücke:
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC847BWT1G BC847BWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 165000 Stücke:
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BC847BWT1G Hersteller : NXP/Nexperia/We-En bc846awt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,15; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 200 @ 2 мA, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.6 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-323
auf Bestellung 779 Stücke:
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BC847BWT1G Hersteller : ON-Semicoductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 BC847BWT1G ONS TBC847bw ONS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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