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BC847C-C

BC847C-C DIOTEC SEMICONDUCTOR

bc846.pdf Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
auf Bestellung 43887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1397+0.051 EUR
1613+0.044 EUR
2348+0.03 EUR
2959+0.024 EUR
3497+0.02 EUR
4033+0.018 EUR
5953+0.012 EUR
6330+0.011 EUR
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Technische Details BC847C-C DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC - BC847C-C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BC847C-C nach Preis ab 0.012 EUR bis 0.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC847C-C BC847C-C Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc846.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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BC847C-C BC847C-C Hersteller : Diotec Semiconductor bc846.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 2775 Stücke:
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Anzahl Preis
125+0.14 EUR
186+0.095 EUR
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BC847C-C BC847C-C Hersteller : Diotec Semiconductor bc846.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 45V, 100mA, NPN
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32+0.088 EUR
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BC847C-C BC847C-C Hersteller : DIOTEC bc846.pdf Description: DIOTEC - BC847C-C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BC847C-C BC847C-C Hersteller : DIOTEC bc846.pdf Description: DIOTEC - BC847C-C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
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BC847C-C Hersteller : Diotec Electronics bc846.pdf BC847C-C
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BC847C-C Hersteller : Diotec Semiconductor bc846.pdf Bipolar Transistor, SOT-23, 45V, 100mA, NPN
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BC847C-C BC847C-C Hersteller : Diotec Semiconductor bc846.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT23-3
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
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