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BC847CDXV6T1G

BC847CDXV6T1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Technische Details BC847CDXV6T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 500mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ON Semiconductor bc847cdxv6t1d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G onsemi BC847CDXV6T1-D.PDF Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G onsemi BC847CDXV6T1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
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BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0013777046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
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BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ONSEMI ONSM-S-A0013777046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
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752+0.31 EUR
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BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G ONSEMI BC847CDXV6T1-D.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC847CDXV6T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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BC847CDXV6T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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BC847CDXV6T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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4000+0.082 EUR
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BC847CDXV6T1G bc847cdxv6t1d.pdf
BC847CDXV6T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4000+0.087 EUR
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BC847CDXV6T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 7620 Stücke:
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1386+0.13 EUR
1859+0.095 EUR
2084+0.083 EUR
2248+0.075 EUR
4000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1386 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC847CDXV6T1G bc847cdxv6t1d.pdf
BC847CDXV6T1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 7620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
497+0.36 EUR
991+0.18 EUR
1386+0.12 EUR
1859+0.087 EUR
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BC847CDXV6T1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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BC847CDXV6T1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
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1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
4000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BC847CDXV6T1G ONSM-S-A0013777046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847CDXV6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 5076 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
341+0.74 EUR
752+0.31 EUR
971+0.23 EUR
1311+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
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BC847CDXV6T1G ONSM-S-A0013777046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC847CDXV6T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 5076 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
341+0.74 EUR
752+0.31 EUR
971+0.23 EUR
1311+0.17 EUR
2000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 341 Stücke
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BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1-D.PDF
BC847CDXV6T1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.357W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.357W
Case: SOT563
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 296 Stücke:
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