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BC847CDXV6T1G

BC847CDXV6T1G ON Semiconductor

bc847cdxv6t1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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Technische Details BC847CDXV6T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -W, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 500mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA.

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BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G Hersteller : ON Semiconductor bc847cdxv6t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
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BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G Hersteller : ONSEMI bc847cdxv6t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT563
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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850+ 0.085 EUR
860+ 0.083 EUR
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BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G Hersteller : ONSEMI bc847cdxv6t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT563
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT563
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G Hersteller : onsemi bc847cdxv6t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
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8000+ 0.13 EUR
12000+ 0.11 EUR
28000+ 0.1 EUR
100000+ 0.084 EUR
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Mindestbestellmenge: 4000
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G Hersteller : onsemi bc847cdxv6t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
auf Bestellung 314990 Stücke:
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33+0.81 EUR
46+ 0.57 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.16 EUR
2000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 33
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G Hersteller : onsemi BC847CDXV6T1_D-2310096.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual NPN
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64+0.82 EUR
98+ 0.54 EUR
225+ 0.23 EUR
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4000+ 0.12 EUR
8000+ 0.11 EUR
24000+ 0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 64
BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G Hersteller : ONSEMI bc847cdxv6t1-d.pdf Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
auf Bestellung 7115 Stücke:
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BC847CDXV6T1G BC847CDXV6T1G Hersteller : ONSEMI bc847cdxv6t1-d.pdf Description: ONSEMI - BC847CDXV6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 500 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 420hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 500mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
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