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BC847CMB,315

BC847CMB,315 Nexperia

bc847xmb_ser.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC847CMB,315 Nexperia

Description: NEXPERIA - BC847CMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC847CMB,315 BC847CMB,315 Hersteller : Nexperia bc847xmb_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
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BC847CMB,315 BC847CMB,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC847XMB_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC847CMB,315 BC847CMB,315 Hersteller : Nexperia BC847XMB_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT BC847CMB/SOT883B/XQFN3
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BC847CMB,315 BC847CMB,315 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0006011421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BC847CMB,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BC847CMB,315 Hersteller : NXP Semiconductors BC847XMB_SER.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
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BC847CMB,315 BC847CMB,315 Hersteller : NEXPERIA bc847xmb_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
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BC847CMB,315 BC847CMB,315 Hersteller : Nexperia bc847xmb_ser.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
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BC847CMB,315 Hersteller : NEXPERIA BC847XMB_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; DFN1006B-3,SOT883B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 0.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC847CMB,315 BC847CMB,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. BC847XMB_SER.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BC847CMB,315 Hersteller : NEXPERIA BC847XMB_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; DFN1006B-3,SOT883B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 0.2A
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