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BC847CQB-QZ

BC847CQB-QZ Nexperia

bc847xqb-q_ser.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
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Technische Details BC847CQB-QZ Nexperia

Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Power - Max: 340 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Grade: Automotive, Supplier Device Package: DFN1110D-3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC847CQB-QZ BC847CQB-QZ Nexperia BC847XQB-Q_SER.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .1A NPN GP TRANS
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