Technische Details BC847CQBZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC847CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 420hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 420mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC847xQB, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote BC847CQBZ nach Preis ab 0.077 EUR bis 0.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BC847CQBZ | Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
auf Bestellung 48810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847CQBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 420hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC847xQB Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847CQBZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 420mW euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 100mA SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847CQBZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT BC847CQB/SOT8015/DFN1110D-3 |
auf Bestellung 23835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BC847CQBZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 420mW 3-Pin DFN-D EP T/R
auf Bestellung 48810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 6212+ | 0.11 EUR |
| 10000+ | 0.094 EUR |
| BC847CQBZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 420hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BC847CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 420hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC847xQB
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 521+ | 0.48 EUR |
| 625+ | 0.37 EUR |
| 1169+ | 0.18 EUR |
| 1786+ | 0.12 EUR |
| 2605+ | 0.082 EUR |
| 5000+ | 0.077 EUR |
| BC847CQBZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 420mW
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: NEXPERIA - BC847CQBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 420 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Verlustleistung: 420mW
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 521+ | 0.48 EUR |
| 625+ | 0.37 EUR |
| 1169+ | 0.18 EUR |
| 1786+ | 0.12 EUR |
| 2605+ | 0.082 EUR |
| 5000+ | 0.077 EUR |
| BC847CQBZ |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT BC847CQB/SOT8015/DFN1110D-3
Bipolar Transistors - BJT BC847CQB/SOT8015/DFN1110D-3
auf Bestellung 23835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.14 EUR |