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BC847CT116

BC847CT116 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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Technische Details BC847CT116 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BC847CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 10mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC847CT116 BC847CT116 Rohm Semiconductor bc847ct116-e.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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BC847CT116 BC847CT116 Rohm Semiconductor bc847ct116-e.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 350 mW
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26+0.82 EUR
41+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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BC847CT116 BC847CT116 ROHM Semiconductor bc847ct116-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 45V 1MA
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BC847CT116 BC847CT116 ROHM bc847ct116-e.pdf Description: ROHM - BC847CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3000 Stücke:
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177+1.42 EUR
254+0.92 EUR
474+0.45 EUR
667+0.32 EUR
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BC847CT116 BC847CT116 ROHM bc847ct116-e.pdf Description: ROHM - BC847CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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BC847CT116 BC847CT116 Rohm Semiconductor bc847ct116-e.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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BC847CT116 BC847CT116 Rohm Semiconductor bc847b.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
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Description: ROHM - BC847CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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isCanonical: Y
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: ROHM - BC847CT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 10 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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