BC847QAPNZ Nexperia
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25000+ | 0.058 EUR |
| 50000+ | 0.051 EUR |
| 125000+ | 0.045 EUR |
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Technische Details BC847QAPNZ Nexperia
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 350mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 350mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BC847QAPNZ nach Preis ab 0.042 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BC847QAPNZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
auf Bestellung 455000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847QAPNZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R |
auf Bestellung 455000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847QAPNZ | Nexperia |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R |
auf Bestellung 455000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC847QAPNZ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A DFN1010BPackaging: Bulk Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1010B-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 245000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847QAPNZ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A NPN/PNP BJT |
auf Bestellung 47757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC847QAPNZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mWtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 350mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BC847QAPNZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mWtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 350mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 350mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BC847QAPNZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R
auf Bestellung 455000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.07 EUR |
| 10000+ | 0.062 EUR |
| 25000+ | 0.056 EUR |
| 50000+ | 0.051 EUR |
| 100000+ | 0.045 EUR |
| BC847QAPNZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW 6-Pin DFN-B EP T/R
auf Bestellung 455000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.07 EUR |
| 10000+ | 0.061 EUR |
| 25000+ | 0.054 EUR |
| 50000+ | 0.049 EUR |
| 100000+ | 0.042 EUR |
| BC847QAPNZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 350mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-B EP T/R
auf Bestellung 455000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.079 EUR |
| 110000+ | 0.07 EUR |
| 220000+ | 0.064 EUR |
| 330000+ | 0.06 EUR |
| BC847QAPNZ |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A DFN1010B
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A DFN1010B
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 245000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2797+ | 0.2 EUR |
| BC847QAPNZ |
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A NPN/PNP BJT
Bipolar Transistors - BJT SOT1216 45V .1A NPN/PNP BJT
auf Bestellung 47757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 0.56 EUR |
| 14+ | 0.25 EUR |
| 100+ | 0.21 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 2500+ | 0.1 EUR |
| 5000+ | 0.09 EUR |
| BC847QAPNZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 350mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 350mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 350mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 350mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BC847QAPNZ |
![]() |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 350mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 350mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BC847QAPNZ - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 350 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 350mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 350mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)





