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BC847RAPNZ

BC847RAPNZ Nexperia

bc847rapn.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 480mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC847RAPNZ Nexperia

Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA DFN1412, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: 150°C, Power - Max: 480mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: DFN1412-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q100.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC847RAPNZ BC847RAPNZ Nexperia bc847rapn.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 480mW 6-Pin DFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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BC847RAPNZ BC847RAPNZ Nexperia BC847RAPN.pdf Bipolar Transistors - BJT BC847RAPN/SOT1268/DFN1412-6
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BC847RAPNZ BC847RAPNZ Nexperia USA Inc. BC847RAPN.pdf Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA DFN1412
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C
Power - Max: 480mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
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57+0.37 EUR
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Power - Max: 480mW
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
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