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BC847S

BC847S Diotec Semiconductor

bc846s.pdf Hersteller: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details BC847S Diotec Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847S - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 300 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 200MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BC847S BC847S Hersteller : Diotec Semiconductor bc846s.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R
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BC847S BC847S Hersteller : Diotec Semiconductor bc846s.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R
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BC847S BC847S Hersteller : Diotec Semiconductor bc846s.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
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BC847S BC847S Hersteller : ON Semiconductor bc847s-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 6-Pin SC-70 T/R
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3258+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3258
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BC847S BC847S Hersteller : ON Semiconductor bc847s-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 6-Pin SC-70 T/R
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BC847S BC847S Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc846s.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
358+0.2 EUR
451+0.16 EUR
815+0.088 EUR
1257+0.057 EUR
2137+0.033 EUR
2263+0.032 EUR
21000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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BC847S BC847S Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc846s.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Pulsed collector current: 0.2A
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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358+0.2 EUR
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BC847S BC847S Hersteller : Diotec Semiconductor bc846s.pdf Description: TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
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BC847S BC847S
Produktcode: 101805
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bc846s.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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BC847S BC847S Hersteller : Diotec Semiconductor bc846s.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-363, 45V, 100mA, NPN
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BC847S BC847S Hersteller : ONSEMI bc846s.pdf Description: ONSEMI - BC847S - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 200 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 110hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 200MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BC847S Hersteller : MERRY bc846s.pdf Transistor 2xNPN; 630; 200mW; 45V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC847SE6327BTSA1; BC847SE6433BTMA1; BC847SH6327XTSA1; BC847SH6359XTMA1; BC847SH6433XTMA1; BC847SH6727XTSA1; BC847SH6730XTMA1; BC847SH6827XTSA1; BC847SH RFG BC847S MERRY TBC847s
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BC847S Hersteller : SHIKUES bc846s.pdf Transistor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BC847SE6327BTSA1; BC847SE6433BTMA1; BC847SH6327XTSA1; BC847SH6359XTMA1; BC847SH6433XTMA1; BC847SH6727XTSA1; BC847SH6730XTMA1; BC847SH6827XTSA1; BC847SH RFG BC847S SHIKUES TBC847
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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BC847S BC847S Hersteller : ON Semiconductor 3904920073461818bc847s.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 6-Pin SC-70 T/R
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BC847S BC847S Hersteller : Diotec Semiconductor bc846s.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R
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BC847S BC847S Hersteller : Diotec Semiconductor bc846s.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R
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BC847S BC847S Hersteller : Diotec Semiconductor bc846s.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 6-Pin SOT-363 T/R
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BC847S BC847S Hersteller : onsemi / Fairchild BC847S_D-1802084.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN GP AMP SC70-6
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