BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor
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Technische Details BC848BHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BC848BHZGT116 nach Preis ab 0.051 EUR bis 0.27 EUR
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BC848BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS NPN 30V 0.1A SST3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
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BC848BHZGT116 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 30V |
auf Bestellung 5188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC848BHZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BC848BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC848BHZGT116 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - BC848BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC848BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC848BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC848BHZGT116 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 |
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