BC848BLT3G ON Semiconductor
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Technische Details BC848BLT3G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 300 mW.
Weitere Produktangebote BC848BLT3G nach Preis ab 0.032 EUR bis 0.19 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BC848BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC848BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC848BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC848BLT3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
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BC848BLT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 6927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC848BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC848BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC848BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC848BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC848BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC848BLT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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| BC848BLT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848BLT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| BC848BLT3G | Hersteller : ONSEMI |
BC848BLT3G NPN SMD transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BC848BLT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
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