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BC848BT116

BC848BT116 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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Technische Details BC848BT116 Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 30V 0.1A SST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SST3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 350 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC848BT116 BC848BT116 Rohm Semiconductor 40bc848bt116-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
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