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BC848BWT106

BC848BWT106 Rohm Semiconductor

bc848bt116-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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Technische Details BC848BWT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BC848BWT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200, hazardous: false, DC-Stromverstärkung hFE: 200, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 100, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC848BWT106 BC848BWT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=BC848BW&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC848BWT106 BC848BWT106 Rohm Semiconductor bc848bt116-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.55 EUR
508+0.33 EUR
692+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
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auf Bestellung 2950 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 320 Stücke
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BC848BWT106 BC848BWT106 ROHM Semiconductor datasheet?p=BC848BW&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1MA
auf Bestellung 2130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.01 EUR
10+0.62 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BC848BWT106 BC848BWT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=BC848BW&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 5569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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BC848BW T106 ROHM
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BC848BWT106
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
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BC848BWT106
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Description: TRANS NPN 30V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
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BC848BW T106
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