BC848CE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC848CE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 330 mW.
Weitere Produktangebote BC848CE6327HTSA1 nach Preis ab 0.081 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BC848CE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC848CE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC848CE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC848CE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR |
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Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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| 7300+ | 0.092 EUR |
| 10000+ | 0.081 EUR |
| BC848CE6327HTSA1 |
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Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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| 24000+ | 0.099 EUR |
| BC848CE6327HTSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 5+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.48 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| 500+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.17 EUR |
| 3000+ | 0.14 EUR |
| 6000+ | 0.12 EUR |