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BC849BE6327HTSA1

BC849BE6327HTSA1 Infineon Technologies

848seriesbc849seriesbc850seriesdsv0101endatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC849BE6327HTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 330 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC849BE6327HTSA1 BC849BE6327HTSA1 Infineon Technologies 848seriesbc849seriesbc850seriesdsv0101endatasheetv0101en.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BC849BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
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BC849BE6327HTSA1 ROCHESTER ELECTRONICS SIEMD095-475.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC849BE6327HTSA1 - BC849 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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