BC849BE6327HTSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BC849BE6327HTSA1 Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 330 mW.
Weitere Produktangebote BC849BE6327HTSA1 nach Preis ab 0.034 EUR bis 0.061 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849BE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SC59 Current gain: 200 Mounting: SMD Frequency: 250MHz |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BC849BE6327HTSA1 | Infineon |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8929+ | 0.061 EUR |
| 10000+ | 0.054 EUR |
| BC849BE6327HTSA1 |
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| 10000+ | 0.054 EUR |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Current gain: 200
Mounting: SMD
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