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BC849BW,115

BC849BW,115 NXP Semiconductors

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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BC849BW,115 NXP Semiconductors

Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 200 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC849BW,115 BC849BW,115 NXP Semiconductors 14038005108497bc849w_850w.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
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BC849BW,115 BC849BW,115 Nexperia BC849W_850W.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT323 45V .1A NPN G P TRANS
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BC849BW,115 BC849BW,115 Nexperia USA Inc. BC849W_850W.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
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Frequency - Transition: 100MHz
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Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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