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BC849CLT1G

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BC849CLT1G BC849CLT1G ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 43020 Stücke:
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BC849CLT1G BC849CLT1G ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BC849CLT1G BC849CLT1G ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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4902+0.036 EUR
4951+0.035 EUR
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BC849CLT1G BC849CLT1G ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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4673+0.036 EUR
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BC849CLT1G BC849CLT1G onsemi BC846ALT1-D.PDF Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
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BC849CLT1G BC849CLT1G ON-Semiconductor info-tbc849c%20ons.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 880 Stücke:
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BC849CLT1G BC849CLT1G ON-Semiconductor info-tbc849c%20ons.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BC849CLT1G BC849CLT1G ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11475 Stücke:
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2228+0.079 EUR
3096+0.056 EUR
3547+0.048 EUR
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BC849CLT1G BC849CLT1G ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11475 Stücke:
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2228+0.079 EUR
3096+0.055 EUR
3547+0.045 EUR
5209+0.03 EUR
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BC849CLT1G BC849CLT1G ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.15 EUR
893+0.095 EUR
1171+0.073 EUR
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BC849CLT1G BC849CLT1G onsemi BC846ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
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16+0.21 EUR
26+0.13 EUR
100+0.082 EUR
500+0.063 EUR
1000+0.057 EUR
3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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BC849CLT1G BC849CLT1G onsemi BC846ALT1-D.PDF Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
157+0.13 EUR
256+0.082 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BC849CLT1G BC849CLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 41322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
981+0.25 EUR
1954+0.12 EUR
2552+0.084 EUR
3449+0.062 EUR
3862+0.056 EUR
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BC849CLT1G BC849CLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 41322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1954+0.12 EUR
2552+0.084 EUR
3449+0.062 EUR
3862+0.056 EUR
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BC849CLT1G BC849CLT1G ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1970 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849CLT1G BC849CLT1G ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1970 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 658 Stücke
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BC849CLT1G ON Semiconductor BC846ALT1-D.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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BC849CLT1G bc846alt1-d.pdf
BC849CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 43020 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5435+0.032 EUR
8929+0.019 EUR
11628+0.014 EUR
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BC849CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5129+0.035 EUR
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BC849CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 46336 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4902+0.036 EUR
4951+0.035 EUR
5000+0.033 EUR
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15000+0.031 EUR
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BC849CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 46336 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4630+0.038 EUR
4673+0.036 EUR
4740+0.035 EUR
4785+0.032 EUR
4831+0.031 EUR
4902+0.029 EUR
4951+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 4630 Stücke
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BC849CLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BC849CLT1G
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 880 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849CLT1G info-tbc849c%20ons.pdf
BC849CLT1G
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC849CLT1G TBC849c ONS
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849CLT1G bc846alt1-d.pdf
BC849CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2228+0.079 EUR
3096+0.056 EUR
3547+0.048 EUR
5209+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 2228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC849CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2228+0.079 EUR
3096+0.055 EUR
3547+0.045 EUR
5209+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2228 Stücke
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BC849CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 1171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
556+0.15 EUR
893+0.095 EUR
1171+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
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BC849CLT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
auf Bestellung 11709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+0.21 EUR
26+0.13 EUR
100+0.082 EUR
500+0.063 EUR
1000+0.057 EUR
3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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BC849CLT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.21 EUR
157+0.13 EUR
256+0.082 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BC849CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 41322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
981+0.25 EUR
1954+0.12 EUR
2552+0.084 EUR
3449+0.062 EUR
3862+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 981 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849CLT1G 2237008.pdf
BC849CLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 41322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
981+0.25 EUR
1954+0.12 EUR
2552+0.084 EUR
3449+0.062 EUR
3862+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 981 Stücke
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BC849CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC849CLT1G bc846alt1-d.pdf
BC849CLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 658 Stücke
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BC849CLT1G BC846ALT1-D.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 3192 Stücke:
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