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BC849CWH6327XTSA1

BC849CWH6327XTSA1 Infineon Technologies

bc846series_bc847series_bc848series_bc849series_bc850series1.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
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Technische Details BC849CWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: PG-SOT323, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 250 mW.

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BC849CWH6327XTSA1 BC849CWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bc846%2Cbc847%2Cbc848%2Cbc849%2Cbc850.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A PG-SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
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BC849CWH6327XTSA1 BC849CWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 420...800
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BC849CWH6327XTSA1 BC849CWH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 420...800
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT323
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BC849CWH6327XTSA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS PHGLS10001-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC849CWH6327XTSA1 - BC849 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
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BC849CWH6327XTSA1 BC849CWH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_Infineon_BC847SERIES_BC848SERIES_BC849SER-3362545.pdf Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
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