BC850A Diotec Semiconductor
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Technische Details BC850A Diotec Semiconductor
Description: DIOTEC - BC850A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BC850A nach Preis ab 0.013 EUR bis 0.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BC850A | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BC850A | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 110...220 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A |
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BC850A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BC850A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 45V, 100mA, NPN |
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BC850A | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC850A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC850A | Hersteller : DIOTEC |
Description: DIOTEC - BC850A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BC850A Produktcode: 164647
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BC850A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC850A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC850A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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BC850A | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW |
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